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  • 闪迪,连续三个季度业绩增长
    闪迪2025年第四季度营业利润激增至上一季度的6倍,主要得益于ASP的显著上涨和各领域的销售额增长。其中,“边缘”领域销售额增长最快,受益于PC、移动设备和AI需求;“消费类”领域销售额增长,高价位产品的销售推动利润提升;“数据中心”领域销售额也因AI基础设施建设需求而大幅增长。
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    11小时前
    闪迪,连续三个季度业绩增长
  • 存储大厂预计今年利润超6900亿!
    SK海力士会长崔泰源预测今年营业利润可能超过1000亿美元,证券机构纷纷上调盈利预测,认为供需失衡导致内存价格上涨,有望创造历史新高。
  • SK海力士又加码千亿,扩产!
    SK海力士已完成追加投资约21万亿韩元,用于建设龙仁半导体产业集群的首座晶圆厂(半导体生产工厂)。这是一项旨在发展人工智能(AI)半导体生产的中长期投资。此次投资被视为加速产能扩张,以满足人工智能存储器日益增长的需求,并巩固其在全球存储器市场(包括高带宽存储器(HBM))的领先地位。
  • SK海力士最大股东净利超420亿!
    SK Square去年营业利润创历史新高,达8.8万亿韩元,主要得益于SK海力士的强劲增长。公司销售额虽降14.4%,但营业利润和净利润分别增长125%和142%。通过AI和半导体投资,公司价值显著提升,市值增至81.5万亿韩元。SK Square正通过“企业价值提升计划”进一步增强股东价值。
  • 还在为昂贵的存储买单?换个思路!
    AI算力需求引发存储行业变革,NAND闪存价格暴涨,企业面临高额存储成本压力。CTERA首席技术官建议采用混合云文件服务,将热数据存于SSD,冷数据存于低成本对象存储,实现高效存储成本管理和性能优化。
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    02/25 17:07
    还在为昂贵的存储买单?换个思路!
  • DRAM短缺真相、台积电与英特尔的反击
    本文介绍了大山聡在半导体行业的经历,并聚焦于2026年的三个重要关注点:DRAM市场的前景、台积电熊本厂的3nm生产线规划调整以及英特尔复活的关键因素。首先,DRAM市场面临供需紧张,特别是由于AI需求的增长导致价格上涨,预计紧缩将持续至2026年底。其次,台积电计划在其熊本第二工厂投产3nm生产线,反映了其在低运营成本地区的产能布局策略。最后,英特尔的EMIB-T技术因其在先进封装领域的潜力而备受关注,尽管其制造部门的分拆进展缓慢,但仍有可能成为其复苏的关键。
    DRAM短缺真相、台积电与英特尔的反击
  • 售罄!涨价! 存储厂商订单爆满
    存储市场持续火爆,多家厂商宣布产能售罄并预计持续到2027年,价格上涨成为常态,客户关注何时有货而非涨幅大小。各大厂商采取新结算方式应对供需紧张,预估存储紧缺将持续至明年。
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    02/25 16:51
    售罄!涨价! 存储厂商订单爆满
  • 苹果将引入长鑫、长江存储?
    近日,国内多家科技媒体都报道了“苹果将引入长鑫、长江存储到自己的供应链,以应对不断涨价的存储芯片”这一新闻,这到底是空穴来风还是真有其事? 个人推测 个人认为该消息极有可能是基于以下行业背景和市场传闻的综合解读与推测: 首先是供应链的博弈策略,当前存储芯片市场价格波动较大,且三星、SK海力士、美光、铠侠等主要供应商拥有较强的定价权。市场分析人士普遍认为,苹果为了在谈判中获得筹码、压低采购成本,有动
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    02/25 09:00
    苹果将引入长鑫、长江存储?
  • i.MX RT1064 外置 Flash XIP 调试实操:复用 RT1060 驱动实现代码直跑
    i.MX RT1064 作为 NXP 高性能跨界 MCU,内置 4MB 片上 Flash 的同时保留外置 QSPI Flash 接口,可满足大型应用的存储需求。默认情况下,RT1064 从内部 Flash 启动,SDK 例程也仅适配内部存储,本文详解如何复用 RT1060-EVK 的 Flash 驱动,实现外置 Flash 的编程与 XIP(就地执行)调试,无需额外开发驱动,直接在 RT1064-EVK 上验证外置存储方案。
  • AI 时代海量存储的发展演进
    希捷技术专家在OCP APAC会议上阐述了AI时代海量存储的发展。随着数据量从2005年的1ZB增长至2028年的394ZB,AI对存储的需求显著增加。希捷通过不断推出高容量硬盘,如15K PMD硬盘、ZB级硬盘和预计未来的50TB硬盘,展示了其在存储领域的创新历程。HAMR技术凭借更高的存储密度和成本效益成为关键,预计将在2025年第三季度推出12TB-44TB容量的产品,并计划在未来逐步提升容量至超过80TB。
    AI 时代海量存储的发展演进
  • 警惕“结构性抽血”:HBM4狂欢背后的DRAM产业冷思考
    2026年2月6日,供应链确认三星电子 HBM4 正式通过英伟达(NVIDIA)认证,将于2月第三周(农历新年假期后)启动量产。为了在这一代产品上追平竞争对手,三星采用了激进的技术组合:1c nm DRAM 工艺配合 4nm 逻辑 Base Die(基础裸片)。
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    02/14 14:37
    警惕“结构性抽血”:HBM4狂欢背后的DRAM产业冷思考
  • 长存/长鑫被移出美国1260H清单!
    2026年2月14日,全球半导体产业迎来一则重磅消息:美国国防部正式更新1260H清单(中国军事企业清单),长江存储(YMTC)、长鑫存储(CXMT) 两大中国存储芯片龙头被正式移出。
  • HBM4内存大单被瓜分!
    HBM战局再起波澜!美光科技提前量产并出货HBM4,三星紧随其后推出业界首款商用HBM4,SK海力士面临巨大竞争压力。美光HBM4数据处理速度超11Gbps,三星HBM4采用12层堆叠技术,容量最高可达48GB。尽管市场需求旺盛,但存储芯片巨头们仍需平衡HBM4与通用DRAM的生产策略。
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    02/14 10:27
    HBM4内存大单被瓜分!
  • 英伟达发布新技术,推理内存可降8倍
    NVIDIA发布“动态内存稀疏化(DMS)”技术,能将大型语言模型(LLM)的推理内存占用降低至多8倍,通过让模型学习决定哪些关键词应保留,从而提高内存利用率和推理效率。
  • 铠侠股价飙涨15%,创历史新高
    2月13日,铠侠控股股价创下IPO后新高,较前一交易日上涨15%,至24420日元。该公司对截至2026年3月财年的营业利润预测远超市场预期的5255亿日元,达到7096亿至7996亿日元,成为股价上涨的关键催化剂。
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    02/14 09:58
  • 内存涨价,千元机的天塌了
    存储芯片价格飙升,中低端手机面临巨大挑战。随着AI基础设施需求激增,三星、美光、SK海力士三大存储芯片厂产能被迅速榨干,导致消费级内存条大幅涨价。传音等中低端手机品牌受影响严重,毛利下降,部分机型被迫推迟发布。存储芯片涨价使得中低端手机成本弹性不足,利润空间被压缩。尽管高端机型可以通过涨价缓解压力,但中低端机型因成本上升而陷入亏损困境。手机厂商面临供应链混乱,存储器供应紧张加剧,预计未来一段时间内存储器价格仍将高位运行。
    内存涨价,千元机的天塌了
  • 1952-2025,闪存发展时间史
    从1952年麻省理工学院的Dudley Buck在其硕士论文中首次提出VNM概念以来,到1984年Flash原型完成,到1987年首颗NOR Flash出货,到1992年首颗NAND Flash出货,到2013年24层3D NAND Flash量产,到2025年321层3D NAND的量产。说明闪存已经成为现代信息社会不可或缺的基石,从物联网设备到手机平板,再到企业级数据中心,闪存已经遍布我们生活的每个角落,影响着每个人的生活。
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    02/13 11:12
    1952-2025,闪存发展时间史
  • 2025,存储厂商们都赚了多少钱?
    芯片超人花姐分享了2025年存储芯片市场的最新动态,强调存储芯片将继续主导市场直至2026年。多家存储相关厂商发布了2025年财报,显示存储芯片需求强劲,价格上涨趋势持续。具体而言: - 台积电、中芯国际、华虹、力积电等晶圆制造企业表示存储芯片需求稳健,价格上涨不影响客户。 - 三星、SK海力士、美光、铠侠、西部数据等存储原厂营收普遍增长,尤其是美光和铠侠表现出色。 - 江波龙、佰维存储、德明利等存储模组企业预计2025年业绩显著提升。 - 文晔、大联大、艾睿、安富利等芯片分销商受益于AI及高效能运算需求。 总体来看,存储芯片市场供需紧张,价格持续上涨,各大厂商纷纷调整策略应对市场需求。
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    02/12 14:00
  • 英伟达招聘高级内存工程师!
    NVIDIA招聘高级内存工艺工程师,旨在提高HBM4良率,与三星电子和SK海力士深化合作,共同提升数据中心性能和良率。随着Vera Rubin芯片的量产临近,两家内存供应商正加速HBM4的生产和交付,预计三星电子将在本月第三周开始量产,SK海力士则计划在今年第一季度供货。
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    02/12 10:01
  • 存储大厂将奖金纳入离职补偿金
    三星电子宣布将绩效奖金(TAI)纳入离职补偿金,受此影响,预计其遣散费金额将大幅增加。三星电子已开始实施这一政策,适用于主要电子子公司。其他采用类似工资体系的企业也将受到影响,如SK海力士和LG。最高法院的裁决明确了TAI应被视为工资,导致企业面临更高的劳动力成本压力。

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