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GaN HEMT二维电子气迁移率调控与陷阱效应抑制...

GaN HEMT的高频功放效率依托于AlGaN/GaN异质结极化诱导的二维电子气高迁移率与低导通损耗，但异质结界面、体材料及表面陷阱在高频交变电场下会捕获载流子，导致动态导通电阻增大与功率压缩，需通过钝化消除表面态、优化外延降低位错、引入场板均化电场来协同抑制陷阱效应，并结合自适应偏置补偿阈值漂移，以维持载流子输运稳定性，从而破解高频功放效率衰减瓶颈。

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