Kioxia TC58BVG0S3HTA00, en NAND-flashchip med en kapacitet på 1 Gbit.
NVRAM er en fælles betegnelse for RAM-typer, som kan bevare data uden strøm. Dette adskiller NVRAM fra konventionel statisk RAM og dynamisk RAM, som begge kræver uafbrudt strømforsyning.
Non-volatile RAM er en forkortelse for det engelske Non-Volatile Random Access Memory
Teknologierne flash og EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) opbevarer bitværdier som en elektrisk ladning i en elektrisk isoleret del af en transistor. Ladningen bliver bevaret, selv når strømmen fjernes.
MRAM-teknologien (Magnetoresistive Random-Access Memory) bruger magnetiske tilstande til at gemme data i meget små magnetiske lag. Bitværdien afgøres af, om magnetiseringen i to lag peger i samme eller modsatte retning.
FRAM/FeRAM-teknologien (Ferroelectric Random-Access Memory) gemmer en bit i polarisationen af et ferroelektrisk materiale. Materialet kan bevare sin polarisation uden strøm, og polarisationens retning repræsenterer bitværdien.
RRAM/ReRAM-teknologien (Resistive Random-Access Memory) gemmer data ved at ændre den elektriske modstand i et materiale. En tilstand med høj modstand og en tilstand med lav modstand kan eksempelvis repræsentere henholdsvis 0 og 1.
PCM-teknologien (Phase-Change Memory) gemmer en bit ved at skifte et materiale mellem en amorf og en krystallinsk fase. De to faser har forskellig elektrisk modstand og kan derfor bruges til at repræsentere forskellige bitværdier.
Da skrivning i mange NVRAM-teknologier kræver en ændring af hukommelsescellens elektriske, magnetiske eller fysiske tilstand, tager det i nogle teknologier væsentligt længere tid at skrive data til NVRAM end ved RAM-typer som SRAM og DRAM. Det gælder især for Flash og EEPROM, men i mindre grad for MRAM og FRAM.
På grund af den fysiske ændring, som hver skrivning kræver, kan skrivning medføre en vis nedbrydning af hukommelsescellen. Derfor kan der være en grænse for, hvor mange skrivecyklusser en NVRAM-celle kan tåle.
For at vurdere, hvilken NVRAM-teknologi der er bedst i en konkret situation, kan man blandt andet sammenligne teknologiens skriveholdbarhed (endurance), databevaring (retention) og hastighed. Teknologiens skriveholdbarhed angiver, hvor mange skrivecyklusser en hukommelsescelle kan tåle, før den begynder at blive upålidelig. Skriveholdbarheden varierer betydeligt mellem de forskellige teknologier.
Databevaring angiver, hvor længe hukommelsescellen kan bevare sine data uden strøm. Endelig angiver hastigheden, hvor hurtigt data kan læses og skrives med den pågældende teknologi.
NVRAM-cellens fysiske størrelse kan også have betydning. Flash-teknologien har høj datatæthed og kan opbevare store datamængder på meget lidt plads. Det har gjort den populær til opbevaring af store datamængder, fordi hukommelse med stor kapacitet kan fremstilles forholdsvis billigt.
Anne Carson er en canadisk digter, oversætter, essayist, dramatiker og professor i klassiske sprog, som netop er tildelt Nobelprisen i litteratur.
Brunsviger er et klassisk dansk bagværk bestående af en gærdejsbund dækket med et lag af en remonce. Særligt på Fyn fejres brunsvigerens dag den sidste torsdag inden skolernes efterårsferie.
Folketinget er Danmarks nationale parlament og befolkningens politiske repræsentation. Grundloven fastsætter, at Folketinget åbner den første tirsdag i oktober.
Kommentarer
Kommentarer til artiklen bliver synlige for alle. Undlad at skrive følsomme oplysninger, for eksempel sundhedsoplysninger. Fagansvarlig eller redaktør svarer, når de kan.
Du skal være logget ind for at kommentere.