全球DRAM产能何时释放，释放多少？

随着AI需求持续走高，全球DRAM市场长期处于供给偏紧状态。目前三星电子、SK海力士、美光科技、长鑫存储等头部企业纷纷推进产线技改与新建扩产，但晶圆工厂从投产、爬坡到满产达产需要较长周期。本文梳理各大厂商现有产能及扩产进度，希望能够为研判DRAM行业中长期供给走势的人士提供参考依据。

三星电子：平泽P4厂现陆续投产，P5 Fab1预计2028年投产

据《ETNews》援引业内消息人士透露，三星计划在2026年底，将1c工艺DRAM晶圆月产能扩充至20万片。预计扩产节奏：2025年底达成6万片/月的1c DRAM产能；2026年二季度再新增8万片月产能；2026年四季度追加6万片月产能，最终实现20万片/月的总产能目标。

目前三星整体DRAM晶圆月产能约65万至70万片，此次1c工艺产能将占到其总产能的三分之一。据《ETNews》介绍，本次扩产将通过现有DRAM产线工艺迭代升级，外加平泽P4工厂新增投资共同落地。

平泽P4工厂现在已经陆续投产。根据ZDNET Korea报道，三星电子在2026年3月末为平泽P4晶圆厂集群的最后两期PH2和PH4下达了大宗前端设备订单。平泽P4的PH1 已于2024年末开始量产；PH3的设备安装工作也基本完成，有望在年内实现13-14K WPM的投片量；剩余阶段中PH4的整体进度会稍微快一些，计划今年5-6月启动设备导入；PH2目前已启动洁净室建设，今年11月启动装机，2027年2月有望完成。

值得关注的是，去年11月，三星搁置两年的平泽园区5号产线（P5）已重启建设，工程全面提速，三星P5两座工厂（Fab1+Fab2）总投资120万亿韩元。据韩国产业媒体 TheBell引业界消息，平泽P5 Fab1满产设计目标约20–30万片/月（以12英寸晶圆计，下同），姊妹厂Fab2相当，双厂合计约60万片/月，几乎等同于三星当前全部DRAM月产能。

业内预估P5 Fab1的投资规模超60万亿韩元，是全球单座晶圆厂史上最高投入，是全球首创Triple Fab，厂房完工后每层配置2间独立洁净室，总计6座无尘车间，相较拥有4间洁净室的P4工厂，整体产能提升50%，预计2028年投产。P5 Fab1定位为下一代高带宽内存HBM与10纳米级第六代1c DRAM 核心生产基地，支撑中长期AI内存需求。

据韩国媒体6月21日报道，三星电子P5 Fab 2厂区最近新部署了几台打桩机，意味着其建设很快就会正式开始，计划于2029年投产。P5 FAB 2将定位为混合型晶圆厂，具备生产旗舰级HBM、下一代DRAM、NAND闪存以及承接先进工艺代工的能力。

SK海力士：预计龙仁厂区2027年下半年投产，叠加M15X产能爬坡

韩媒《The Elec》披露，SK海力士已向核心设备、材料供应商同步产能规划，目标在 2030-2031年将DRAM晶圆投料产能较当前规模近乎翻倍。这与SK 集团董事长崔泰源在2026台北电脑展（Computex）的公开表态完全吻合，他当时表示，集团将全速推进，五年内实现整体晶圆产能翻番。

也就意味着，SK海力士计划将当前DRAM月产能约55万片晶圆（含中国无锡工厂每月约20万片晶圆产出），提升至2030年月产100万片晶圆的规模。

规划新增产能绝大部分落地韩国龙仁半导体集群，龙仁厂区是SK海力士的AI高端 DRAM/HBM核心扩产基地，规划落地1b/1c先进工艺产线。龙仁一号晶圆厂内部划分6间独立洁净车间，首间洁净车间的设备进场时间，由原定2027年5月提前至2027年2月；每间洁净车间完成设备调试后，新增6万片/月产能；每间隔6个月启动下一间洁净室投产；按此节奏，仅龙仁一号工厂，到2030年上半年即可新增36万片/月DRAM产能。

除龙仁园区外，SK海力士同步推进忠清北道清州市M15X产线扩建。M15X扩建段将于2026下半年正式投产，初期新增4万片/月DRAM产能，2027年爬坡至8万片/月，稳定产出后续持续分阶段爬坡放量，补充龙仁园区之外的增量供给。

叠加龙仁新增36万片、清州M15X新增8万片产能，SK海力士整体DRAM月产能将在2030-2031年触及100万片目标线。

美光科技：预计铜锣厂区、Idaho 1于2027年H2规模量产

据TrendForce集邦咨询2026年中统计，美光科技DRAM每月晶圆投片总量34–35万片，全球排名第三，工厂整体接近满负荷生产。产能分布在日本广岛、台湾台中、美国弗吉尼亚三地，其中广岛是主力生产基地，月产能在22万偏左右，现有产线分出部分产能生产AI专用 HBM内存。2026年，美光科技仅靠现有产线微调增产，年末总产能小幅升至36万片/月，无新厂房投产贡献增量。

据报道，亚洲新增产能集中在中国台湾省铜锣厂区，美光2026年3月完成力积电P5收购改造，一期2027下半年小规模投产，稳定后每月新增 3–4万片DRAM产能；同期启动二期新厂房建设，2029年投产，再新增4–5万片月产能。日本广岛仅做内部产线升级，不新增晶圆总产出。

美国本土新建产能集中在爱达荷、纽约两大集群。

爱达荷博伊西Idaho 1是美国首座AI高端DRAM工厂，采用1γ/1δ 制程，专供服务器内存与HBM基底，土建完工、设备分批进场，投产时间由原2027下半年提前至2027年年中，满产月产能5–6万片；爱达荷博伊西Idaho 2于2026年启动场地平整施工，定位远期1δ及下一代HBM配套DRAM，2028年底量产，满产月产能5–6万片；两座爱达荷工厂合计满产新增10–12万片/月DRAM产能。

此外，纽约州Clay晶圆集群于2026年初破土动工，属于远期规划项目，预计首座晶圆厂2029年底至2030年才可实现DRAM量产，单厂规划月产能4–5万片，2026–2028无实质产能贡献，用于长期补足美国本土算力内存供应链。

本土DRAM新建产能，2027年释放

长鑫科技的招股书披露，其在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，产规模位居中国第一、全球第四。随着公司3座晶圆厂产能建设及爬坡陆续完成，2026年将实现三厂产能全部达产。

今年2月，《日经亚洲》援引知情人士消息称，长鑫存储正在上海扩建晶圆工厂，上海新厂区全部建成后的总产能，将达到其合肥总部基地的2倍至3倍。消息人士表示，上海新厂将量产服务器、电脑、车载电子等设备专用DRAM；设备安装计划在2026年下半年启动，2027年正式投产。同时，长鑫也在上海扩建高带宽内存HBM产线。

值一提的是，随着长鑫科技上市过会，拟募资用于产线技术改造，或许能带来一定的产能增长。

此外，总部位于武汉的中国NAND闪存龙头长江存储，正在修建第三座晶圆厂，此前《日经亚洲》已报道该厂计划2027年投产。多名知情人士补充，长江存储决定调整新厂产品结构：除传统NAND闪存外，新厂50%产能将用于生产DRAM；同时，长江存储将联合国内存储封测企业，合作研发、量产AI算力所需HBM内存。

写在最后

整体来看，2026年全球DRAM市场的产能增长有限，除了三星华泽P4 PH3带来新增产能外，更多的是各大厂商原有产能的技术改造带来的产能的小幅提升。笔者预估2026年全行业产能增幅在5%-10%区间。

但随着2027年及未来几年，各大存储厂商新建产能释放，全球DRAM的产能会迎来较大释放。笔者预估，2027年末全球DRAM的月均产能同比增幅有望超20%，2028-2030年产能年化增幅有望维持在15%左右。

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